參數(shù)資料
型號(hào): U630H64SK35
英文描述: NVRAM (EEPROM Based)
中文描述: NVRAM中(EEPROM的基礎(chǔ))
文件頁(yè)數(shù): 6/14頁(yè)
文件大小: 143K
代理商: U630H64SK35
6
November 01, 2001
U630H64
L- to H-level
undefined
H- to L-level
i:
j:
If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.
E or W and NE must be > V
IH
during address transitions.
Write Cycle #1: W-controlled
j
Write Cycle #2: E-controlled
j
t
h(D)
t
cW
t
su(E)
t
h(A)
t
w(W)
t
su(D)
t
dis(W)
t
en(W)
Address Valid
Input Data Valid
High Impedance
t
su(A-WH)
(12)
(16)
(13)
(19)
(20)
(23)
(21)
t
su(A)
t
h(D)
t
cW
t
w(E)
t
h(A)
t
su(D)
Address Valid
Input Data Valid
t
su(W)
(12)
(18)
(21)
(20)
(19)
(17)
(22)
Previous Data Valid
(15)
(14)
High Impedance
(15)
t
su(A)
Ai
E
W
DQi
Input
DQi
Output
Ai
E
W
DQi
Input
DQi
Output
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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