參數(shù)資料
型號: U309
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V,最小飽和漏極電流12mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述: N溝道場效應(yīng)(最小柵源擊穿電壓- 25V的,最小飽和漏極電流12mA電流的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 7/7頁
文件大?。?/td> 98K
代理商: U309
J/SST/U308 Series
Siliconix
S-52424—Rev. F, 14-Apr-97
7
Typical Characteristics (Cont’d)
10
100
1 k
100 k
10 k
20
16
8
4
0
12
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
I
D
= 1 mA
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
f – Frequency (Hz)
150
120
60
30
0
0.1
1
10
90
Output Conductance vs. Drain Current
V
GS(off)
= –3 V
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
25 C
125 C
10
1
0.1
0.01
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DG
= 10 V
I
D
= 10 mA
Common–Gate
–b
rg
–g
rg
+g
rg
Reverse Admittance vs. Frequency
f – Frequency (MHz)
100
10
1
0.1
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DG
= 10 V
I
D
= 10 mA
Common–Gate
g
og
b
og
Output Admittance vs. Frequency
f – Frequency (MHz)
200
500
200
500
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
(
e
n
/
)
S
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
U404 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的單片雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
U401 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的單片雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
U406 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的單片雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
U421 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V,柵極工作電流-0.25pA的單片雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
U423 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V,柵極工作電流-0.25pA的單片雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
U309_TO-18 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:N-CHANNEL JFET
U309-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans JFET N-CH 3-Pin TO-52
U309CHP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:NZB2 CHIPS
U309-E3 功能描述:JFET 450MHz Amp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
U30BCT 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier