參數(shù)資料
型號: TZMB56
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù): 1/6頁
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代理商: TZMB56
TZMB...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85610
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Available with tighter tolerances
Very high stability
Low noise
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
94 9371
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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