參數(shù)資料
型號(hào): TYN812T
英文描述: Transil™
中文描述: 第12A沙特遙感中心
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大小: 154K
代理商: TYN812T
TN12, TS12 and TYNx12 Series
5/10
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration (recommended pad layout, FR4 PC
board).
Fig. 4-1:
Relative variation of gate trigger
current, holding current and latching versus
junction temperature for TS12 series.
Fig. 4-2:
Relative variation of gate trigger
current, holding current and latching current
versus junction temperature for TN12 & TYN
series.
Fig. 5:
Relative variation of holding current
versus gate-cathode resistance (typical values)
for TS12 series.
Fig. 6:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode resistance (typical values)
for TS12 series.
Fig. 7:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode capacitance (typical values)
for TS12 series.
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.01
0.10
1.00
K = [Zth(j-a)/Rth(j-a)]
DPAK
TO-220AB
D
2
PAK
tp(s)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IGT,IH,IL [Tj] / IGT,IH,IL [Tj = 25°C]
IGT
IH & IL
Tj(°C)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
IGT,IH,IL [Tj] / IGT,IH,IL [Tj = 25°C]
IGT
IH & IL
Tj(°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IH[Rgk] / IH[Rgk = 1k
]
Tj = 25°C
Rgk(k
)
dV/dt[Rgk] / dV/dt [Rgk = 220 ]
Rgk(k )
Tj = 125°C
VD = 0.67 xVDRM
0.1
1.0
10.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VD = 0.67 x VDRM
Tj = 125°C
Rgk = 220
dV/dt[Cgk] / dV/dt [Rgk = 220 ]
Cgk(nF)
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