參數(shù)資料
型號(hào)： TXN612
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH SURGE CAPABILITY HIGH ON-STATE CURRENT HIGH STABILITY AND RELIABILITY
中文描述： 高浪涌能力高通態(tài)電流高穩(wěn)定性和可靠性
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： TXN612
Fig.9 :
versus number of cycles.
Non repetitive surge peak on-state current
Fig.10 :
Non repetitive surge peak on-state current for
a sinusoidal pulse with width : t
≤
10 ms, and
corresponding value of I2t.
Fig.8 :
Relative variation of gate trigger current versus
junction temperature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.7 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration.
Fig.11 :
On-state characteristics (maximum values).
TXN/TYN 0512 ---> TXN/TYN 1012
4/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TXN612RG 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TXN625RG 功能描述:SCR Standard 25A 600V 40 mA TO-220AB SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TXN692RG 功能描述:SCR 20 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TXN80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTORS
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