- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366058 > TXN608 Low capacitance Transil™ arrays for ESD protection PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TXN608 |
| 英文描述： | Low capacitance Transil™ arrays for ESD protection |
| 中文描述： | 600V的晶閘管8A條 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | TXN608 |
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
TXN
3.5
°
C/W
TYN
2.5
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
BLANK
G
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
MAX
15
25
mA
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRMRL=3.3k
Tj= 110
°
C
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 0.5A/
μ
s
IG= 40mA
Tj=25
°
C
TYP
2
μ
s
IL
IG= 1.2 IGT
Tj=25
°
C
TYP
50
mA
IH
IT= 100mA
gate open
Tj=25
°
C
MAX
30
45
mA
VTM
ITM= 16A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.8
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj= 110
°
C
2
dV/dt
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj= 110
°
C
MIN
200
500
V/
μ
s
tq
VD=67%VDRM
dITM/dt=30 A/
μ
s
ITM= 16A
dVD/dt= 50V/
μ
s
VR= 25V
Tj= 110
°
C
TYP
70
μ
s
PG (AV)= 1W
PGM= 10W (tp = 20
μ
s)
IFGM= 4A (tp = 20
μ
s)
VRGM= 5 V.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
TXN/TYN 058 (G) ---> TXN/TYN 1008 (G)
2/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TYN410RG | Transil™ |
| TYN610RG | Transil™ |
| TYPE121A | Transil™ |
| TYPE121C | Transil™ |
| TYPE122B | High junction temperature Transil™ |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TXN608G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Silicon controlled rectifiers |
| TXN60G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTORS |
| TXN60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTORS |
| TXN612 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY HIGH ON-STATE CURRENT HIGH STABILITY AND RELIABILITY |
| TXN612 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR 12A 600V TO-220 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。