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參數資料
| 型號： | TT71F |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | TT71F |
TT 71 F
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
TT 71 F/13
10k
6000
200
0
100
600
400
0
200
100
60
40
20
10
[
A
]
i
T
t [μs]
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
40
P
TT
+ P
T
[
kW
]
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (P
+ P
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
40
60
100
200
μs
400 600
1
2
4
6
10
[A]
TM
1000
i
ms
30
40
100
200
400
600
3000
W
tot
[
Ws
]
60
3
5
4
0,01
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
t
p
TT 71 F/14
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
i
T
Lastkreis/load circuit:
v
DM
≤
0,67 V
DRM
v
RM
≤
50 V
dv
R
/dt
≤
100 V/μs
R
C
RC-Glied/RC network:
R
[
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,15μF
t
p
t
i
TM
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1μs
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
30
20
10
8
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[
V
]
v
G
0,8
a
b
c
TT 71 F/15
Bild / Fig. 15
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter: a b c
g
[ms] 10 1 0,5
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 20 40 60
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[μs]
t
gd
a
b
TT 71 F/16
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
= 1 μs, t
= 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
0
200
150
100
50
[
μAs
]
Q
r
500
- di
T
/dt
[
A/μs
]
100
200
300
400
600
TT 71 F/17
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom I
TM
/
Recovert charge Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
10 A
20 A
50 A
100 A
200 A
i
TM
= 500 A
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