參數(shù)資料
型號： TT61N
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 385K
代理商： TT61N
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling
A 05/02
1/2
Seite/page
5555Kenndaten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TT61N
TD61N
DT61N
TT61N...-K
TD61N...-A
DT61N...-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
1400 V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1200
1600
1400 V
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1700
1500 V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
120 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
T
C
= 76°c
I
TAVM
60
76
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
1550
1400
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
I2t
12000
9800
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
150 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 300 A
v
T
max.
1,9 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
3,4 m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
120 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
1,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
≥
10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs, t
g
= 20 μs
I
L
max.
620 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
20 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
t
gd
max.
3 μs
prepared by: C.Drilling
date of publication:
09.07.02
approved by: J. Novotny
revision:
3
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PDF描述
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TVEZ-2-0-0-000-0-000000-00 PROCESS RECORDER 2 INPUT
TVEZ-4-4-0-000-0-000000-00 PROCESS RECORDER 4 INPUT
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參數(shù)描述
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TT61N08KOFB2 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
TT61N12KOF 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 61A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT61N12KOFB2 功能描述:SCR模塊 Module 1.2KV 1.55KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT61N12KOF-B3 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 61A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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