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參數(shù)資料
| 型號： | TT180F |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | TT180F |
TT 180 F
4
2
8
6
2
4
8
[A]
40
60
100
200
μs
400 600
1
2
4
6
10
ms
t
p
T 195 F4/14
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
W
=
6 Ws
mWs
mWs
1
2
4
10
20
40
60
0,1 Ws
0,2
0,4
20 Ws
RC-Glied/RC network:
R
[
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22μF
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1μs
Lastkreis/load circuit:
v
DM
≤
0,67 V
DRM
v
RM
≤
50 V
dv
R
/dt
≤
100 V/μs
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
10 k
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
[
A
]
i
T
t [μs]
P
TT
+
P
T
=
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (P
+ P
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
T 195 F3/13
20 W
40 W
60 W
100 W
200 W
400 W
600 W
1 kW
2 kW
4 kW
6 kW
10 kW
20 kW
40 kW
10
4
TM
i
10
3
10
2
R
C
t
p
i
TM
i
T
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
20
15
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
[
V
]
v
G
0,8
8
T 670 F21/15
a
b
c
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
= 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at v
= 6V.
Parameter: a b c
g
[ms] 10 1 0,5
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 20 40 60
10
20
40 60
100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
A
i
G
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
a
b
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
= 1 μs, t
= 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
T 195 F17/16
100
60
20
[μs]
t
gd
0
200
150
100
50
[
μAs
]
Q
r
800
- di
T
/dt
[
A/μs
]
20 A
50 A
100 A
i
TM
= 1000 A
200
400
600
1000
TT 180 F 08...13
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
= t
, v
= 0,5 V
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom I
TM
/
Recovert charge Q
= f(di/dt)
t
= t
, vR = 0,5 V
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
200 A
500 A
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