參數(shù)資料
型號： TT111F
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 242K
代理商： TT111F
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Elektrische Eigenschaften
Hchstzulssige Werte
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
200 400 600 800
V
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DSM
= V
DRM
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
+ 100
200
111
128
3000
2600
45000
33800
160
V
A
A
A
A
A
t
c
= 85°C
t
c
= 76°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
I
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs
t
vj
= t
vj max
, V
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
Stostrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
Grenzlastintegral
∫
i
2
dt-value
∫
i
2
dt
A
2
s
A
2
s
A/μs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di/dt)
cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
(dv/dt)
cr
1) 2)
50 50
500 500
500 50
1000 500
V/μs
V/μs
V/μs
V/μs
Charakteristische Werte
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 350 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 10
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 20
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs, t
g
= 10 μs
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
= V
RRM
t
vj
=25°C, I
GM
=0,6 A,di
G
/dt =0,6 A/μs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max. 1,95
V
V
1,2
1,4
m
mA
max. 150
max. 2
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
V
mA
V
mA
A
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
i
D
, i
R
t
gd
t
q
max. 30
mA
Zündverzug
Freiwerdezeit
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
max. 1,4
C: max. 12
D: max. 15
D: max. 20
μs
μs
μs
μs
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
V
ISOL
3
Thermische Eigenschaften
Innerer Wrmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Θ
=180° el,sinus: pro Modul/per module R
thJC
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max. 0,115
max. 0,23
max. 0,107
max. 0,214
max. 0,03
max. 0,06
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
t
vj max
t
c op
t
stg
125
°C
°C
°C
-40...+125
-40...+130
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mabild
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
AIN
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
6
Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6
Nm
weight
creepage distance
vibration resistance
outline
G
typ. 430
g
14
mm
m/s2
f = 50 Hz
5 . 9,81
1
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V
RRM
≤
800 V und DD 121 S bei V
RRM
≤
1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V
RRM
≤
800 V and DD 121 S at V
RRM
≤
1000 V
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
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TT111F06KSC-A 功能描述:SCR PCT 600V 111A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TT111F08KCC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT111F08KEC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT111F08KFC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT111F09KDC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 900V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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