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參數(shù)資料
| 型號： | TSTA7300 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 激光器 |
| 英文描述： | LED IrLED 870nm 2-Pin TO-18 |
| 中文描述： | Infrared Emitters 12 Degree 180mW 875nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | TSTA7300 |
www.vishay.com
254
For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com
Document Number: 81045
Rev. 1.7, 04-Sep-08
TSTA7300
Vishay Semiconductors
Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant,
875 nm, GaAlAs
Fig. 5 - Relative Forward Voltage vs. Ambient Temperature
Fig. 6 - Radiant Intensity vs. Forward Current
Fig. 7 - Radiant Power vs. Forward Current
Fig. 8 - Rel. Radiant Intensity/Power vs. Ambient Temperature
Fig. 9 - Relative Radiant Power vs. Wavelength
Fig. 10 - Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement
0.7
0.
8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
F
v
e
w
a
V
o
V
)
94 7990
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
100
8
0
60
40
20
0
I
F
= 10 mA
I
F
- Forward Current (mA)
4 7974e
10
3
10
1
10
2
10
4
10
0
0.1
1
10
1000
100
I
e
I
F
- For
w
ard C
u
rrent (mA)
94 7972
10
3
10
1
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2
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4
10
0
0.1
1
10
1000
-
w
e
W
)
e
Φ
100
- 10
10
50
0
100
0
0.4
0.
8
1.2
1.6
I
e
e
140
94
8
020
I
F
= 20 mA
Φ
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
7
8
0
88
0
λ
-
W
a
v
elenght (nm)
9
8
0
94
8
000
-
v
e
w
e
e
Φ
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
I
F
= 100 mA
e
)
rel
=
Φ
p
e
Φ
e
) /
λ
(
)
λ
(
λ
Φ
(
0.4
0.2
0
0.2
0.4
I
-
v
e
e
0.6
94
8
021
0.6
0.9
0.
8
0°
30°
10°
20°
40°
50°
60°
70°
8
0°
0.7
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSTS7100 | LED IrLED 950nm 2-Pin TO-18 |
| TSTS7300 | TSTS7300 - Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSTA7300_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs |
| TSTA7500 | 功能描述:紅外發(fā)射源 30 Degree 180mW RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| TSTA7500_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs |
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