參數(shù)資料
型號(hào)： TSMBJ1009C-130
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 浪涌電流限制器
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVS07; Number of Contacts:37; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
中文描述： 160 V, 50 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
封裝： PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 421K
代理商： TSMBJ1009C-130
www.
mc c semi
.c om
M C C
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
@25
℃
Unless otherwise specified
Rated
Repetitive Off
-
state Voltage
Current@V
DRM
Symbol
V
DRM
I
DRM
Units
Volts
uA
Limit
Max
Max
MAXIMUM RATED SURGE WAVEFORM
Waveform
Standard
Ipp (A)
2/10 us
GR-1089-CORE
5
00
8/20 us
IEC 61000-4-5
400
10/160 us
FCC Part 68
2
0
0
10/700 us
ITU-T K20/21
2
00
10/560 us
FCC Part 68
1
5
0
10/1000 us
GR-1089-CORE
100
TIME
0
50
100
I
Peak value (Ipp)
Half value
tr
tp
tr = rise time to peak value
tp = decay time to half value
Symbol
Parameter
V
DRM
Stand-off voltage
I
DRM
Leakage current at stand-off voltage
V
BR
Breakdown voltage
I
BR
Breakdown current
V
BO
Breakover voltage
I
BO
Breakover current
I
H
Holding current
NOTE: 1
V
T
On state voltage
I
PP
C
O
Peak pulse current
Off-state capacitance
NOTE: 2
I
V
V
DRM
I
PP
I
BO
I
H
I
BR
I
DRM
V
BR
V
BO
V
T
NOTE
：
1. I H > ( V L/ R L
)
If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state.
The surge recovery time. It does not exceed 30ms.
2. Off-state capacitance measured at f=1.0MHz , 1.0Vrms signal , VR=2Vdc bias.
Parameter
Off-state
Leakage
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@I
T
=1.0A
V
T
Volts
Max
Breakover Current Holding Current
Off-State
Capacitance
C
J
pF
Typ.
V
BO
Volts
Max
I
BO-
mA
Min
I
BO+
mA
Max
I
H-
mA
Min
I
H+
mA
Max
TSMBJ1009C-130
T
SMBJ
1009
C
-130
120
5
160
5
5
0
800
150
800
120
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TSMBJ1010C/TP 功能描述:硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 140V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TSMBJ1010C-TP 功能描述:硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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