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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TSMBJ0507C |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類(lèi)： | 浪涌電流限制器 |
| 英文描述： | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| 中文描述： | 130 V, 30 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | TSMBJ0507C |
www.
mc c semi
.c om
M C C
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
@25
℃
Unless otherwise specified
MAXIMUM RATED SURGE WAVEFORM
Waveform
Standard
Ipp (A)
2/10 us
GR-1089-CORE
25
0
8/20 us
IEC 61000-4-5
250
10/160 us
FCC Part 68
150
10/700 us
ITU-T K20/21
100
10/560 us
FCC Part 68
100
10/1000 us
GR-1089-CORE
8
0
TIME
0
50
100
I
Peak value (Ipp)
Half value
tr
tp
tr = rise time to peak value
tp = decay time to half value
Symbol
Parameter
V
DRM
Stand-off voltage
I
DRM
Leakage current at stand-off voltage
V
BR
Breakdown voltage
I
BR
Breakdown current
V
BO
Breakover voltage
I
BO
Breakover current
I
H
Holding current
NOTE: 1
V
T
On state voltage
I
PP
C
O
Peak pulse current
Off-state capacitance
NOTE: 2
I
V
V
DRM
I
PP
I
BO
I
H
I
BR
I
DRM
V
BR
V
BO
V
T
NOTE
：
1. I H > ( V L/ R L
)
If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state.
The surge recovery time. It does not exceed 30ms.
2. Off-state capacitance measured at f=1.0MHz , 1.0Vrms signal , VR=2Vdc bias.
Parameter
Rated
Repetitive Off-
state Voltage
V
DRM
Volts
Max
Off-state
Leakage
Current@V
DRM
I
DRM
uA
Max
5
5
5
5
5
5
5
5
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@I
T
=1.0A
V
T
Volts
Max
5
5
5
5
5
5
5
5
Breakover Current Holding Current
Off-State
Capacitance
C
J
pF
Typ.
140
90
90
90
60
60
60
60
Symbol
Units
Limit
T
SMBJ
0506
C
75
T
SMBJ
0507
C
90
T
SMBJ
0510
C
140
T
SMBJ
0512
C
160
T
SMBJ
0516
C
190
T
SMBJ
0518
C
220
T
SMBJ
0522
C
275
T
SMBJ
0524
C
320
V
BO
Volts
Max
98
130
180
220
265
300
350
400
I
BO-
mA
Min
50
50
50
50
50
50
50
50
I
BO+
mA
Max
800
800
800
800
800
800
800
800
I
H-
mA
Min
150
150
150
150
150
150
150
150
I
H+
mA
Max
800
800
800
800
800
800
800
800
T
SMBJ
0
5
0
6C
thru T
SMBJ
0
5
24
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSMBJ0512C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0516C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0518C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0522C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0524C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSMBJ0507C/TP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 90V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0507C-TP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0509C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|185V V(BO) MAX|DO-215AA |
| TSMBJ0509C-130 | 功能描述:THYRISTOR 120V 80A SMB DO-214AA RoHS:否 類(lèi)別:過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 晶閘管 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 19/Jul/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 電壓 - 擊穿:400V 電壓 - 斷路:320V 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài):4V 電流 - 峰值脈沖(8 x 20µs):250A 電流 - 峰值脈沖(10 x 1000µs):80A 電流 - 保持 (Ih):150mA 元件數(shù):1 電容:29pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 包裝:帶卷 (TR) |
| TSMBJ0510C | 功能描述:硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 140V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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