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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TSMBJ0305C-072 |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 浪涌電流限制器 |
| 英文描述： | 71-150756-32J |
| 中文描述： | 88 V, 20 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 438K |
| 代理商： | TSMBJ0305C-072 |
www.
mc c semi
.c om
M C C
Parameter
Rated
Repetitive Off
-
state Voltage
V
DRM
Volts
Max
Off-state
Leakage
Current@V
DRM
I
DRM
uA
Max
5
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@I
T
=1.0A
V
T
Volts
Max
5
Breakover Current Holding Current
Off-State
Capacitance
C
J
pF
Typ.
100
Symbol
Units
Limit
T
SMBJ
0305
C
-064
58
V
BO
Volts
Max
77
I
BO-
mA
Min
I
BO+
mA
Max
800
I
H-
mA
Min
150
I
H+
mA
Max
800
MAXIMUM RATED SURGE WAVEFORM
Waveform
Standard
Ipp (A)
2/10 us
GR-1089-CORE
200
8/20 us
IEC 61000-4-5
1
50
10/160 us
FCC Part 68
1
00
10/700 us
ITU-T K20/21
60
10/560 us
FCC Part 68
6
0
10/1000 us
GR-1089-CORE
5
0
TIME
0
50
100
I
Peak value (Ipp)
Half value
tr
tp
tr = rise time to peak value
tp = decay time to half value
Symbol
Parameter
V
DRM
Stand-off voltage
I
DRM
Leakage current at stand-off voltage
V
BR
Breakdown voltage
I
BR
Breakdown current
V
BO
Breakover voltage
I
BO
Breakover current
I
H
Holding current
NOTE: 1
V
T
On state voltage
I
PP
C
O
Peak pulse current
Off-state capacitance
NOTE: 2
I
V
V
DRM
I
PP
I
BO
I
H
I
BR
I
DRM
V
BR
V
BO
V
T
NOTE
：
1. I H > ( V L/ R L
)
If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state.
The surge recovery time. It does not exceed 30ms.
2. Off-state capacitance measured at f=1.0MHz , 1.0Vrms signal , VR=2Vdc bias.
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
@25
℃
Unless otherwise specified
TSMBJ0305C-064
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSMBJ0307C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0312C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0316C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0318C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMBJ0324C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSMBJ0306C | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 75V 30A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0306C/TP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 75V 30A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0306C-TP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0307C | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 90V 30A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ0307C/TP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 90V 30A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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