參數(shù)資料
型號(hào)： TSM4925D
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 30V Dual P-Channel MOSFET
中文描述： 30V的雙P溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 322K
代理商： TSM4925D
TSM4925D
30V Dual P-Channel MOSFET
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
2/6
Version: A07
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
a
V
GS
= 0V, I
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -10V, I
D
= -7.1A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.5A
V
DS
= -10V, I
D
= -7.1A
I
S
= -1.7A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
-30
-1
--
--
-40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
20
33
24
-0.8
--
-3
V
V
nA
μ
A
A
±100
-1.0
--
25
41
--
-1.2
Drain-Source On-State Resistance
a
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
a
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Switching
c
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
iss
C
oss
C
rss
--
--
--
--
--
--
33
5.8
8.6
1573
319
211
70
--
--
1900
--
295
V
DS
= -15V, I
D
= -7.1A,
V
GS
= -10V
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
--
--
--
--
10
15
110
70
15
25
170
110
V
DD
= -15V, R
L
= 15
Ω
,
I
D
= -1A, V
GEN
= -10V,
R
G
= 6
Ω
nS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM4925DCSRL 30V Dual P-Channel MOSFET
TSM4936D 30V N-Channel MOSFET
TSM4936DCSRL 30V N-Channel MOSFET
TSM4944D 30V Dual N-Channel MOSFET
TSM4944DCSRL 30V Dual N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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