參數(shù)資料
型號(hào)： TSM4435_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 30V P-Channel MOSFET
中文描述： 30V的P通道MOSFET
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： TSM4435_07
TSM4435
30V P-Channel MOSFET
1/6
Version: A07
SOP-8
Features
●
●
Advance Trench Process Technology
High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance
Application
●
●
DC-DC Conversion
Battery Switch
Ordering Information
Part No.
TSM4435CS RL
Package
SOP-8
Packing
2.5Kpcs / 13” Reel
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
Limit
-30
Unit
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
±20
-9.1
V
A
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a,b
-50
A
-2.1
2.5
A
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
Maximum Power Dissipation
P
D
1.6
W
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
+150
o
C
o
C
T
J
, T
STG
- 55 to +150
Thermal Performance
Parameter
Junction to Foot (Drain) Thermal Resistance
Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)
Notes:
a. Pulse width limited by the Maximum junction temperature
b. Surface Mounted on FR4 Board, t
≤
10 sec.
Symbol
R
JF
R
JA
Limit
22
50
Unit
o
C/W
o
C/W
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(m
Ω
)
I
D
(A)
21 @ V
GS
= -10V
-9.1
-30
35 @ V
GS
= -4.5V
-6.9
Block Diagram
P-Channel MOSFET
Pin Definition:
1. Source
2. Source
3. Source
4. Gate
5, 6, 7, 8. Drain
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PDF描述
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