參數(shù)資料
型號： TSM2N7000CTA3
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 60V的N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： TSM2N7000CTA3
TSM2N7000
2-3
2003/12 rev. A
Electrical Characteristics
Tj = 25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0V, I
D
= 10uA
BV
DSS
60
--
--
V
V
GS
= 10V, I
D
= 500mA
R
DS(ON)
--
--
5.0
Drain-Source On-State Resistance *
V
GS
= 5V, I
D
= 50mA
R
DS(ON)
--
7.5
--
Drain-Source On-Voltage *
V
GS
= 0V, I
D
= 10uA
V
DS(ON)
--
--
2.5
V
Gate Threshold Voltage *
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0mA
V
GS(TH)
0.8
--
3.0
V
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
I
DSS
--
--
1.0
uA
Gate Body Leakage - Forward
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
I
GSS
--
--
- 10
nA
On-State Drain Current
V
DS
5V, V
GS
= 10V
I
D(ON)
60
--
--
mA
Dynamic
Turn-On Rise Time *
t
r
--
10
--
Turn-Off Fall Time *
V
DD
= 15V, R
L
= 30
,
I
D
= 500mA,
V
GEN
= 10V, R
G
= 25
t
f
--
10
--
nS
Input Capacitance
C
iss
--
60
--
Output Capacitance
C
oss
--
25
--
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
C
rss
--
5
--
pF
Source-Drain Diode
Max. Diode Forward Current
I
S
--
--
500
mA
Diode Forward Voltage
I
S
= 200mA, V
GS
= 0V
V
SD
--
1.3
1.5
V
* Note : pulse test: pulse width <=300uS, duty cycle <=2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N7000CTB0 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7002EDCU6 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7002CX 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7002 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7002ED 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM2N7000KCT 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000KCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Ammo 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM2N7002CX 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002CX RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
TSM2N7002ECU 功能描述:MOSFET 60V 0.25A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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