| 型號: | TSM2N7000 | 
| 廠商: | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | 
| 英文描述: | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| 中文描述: | 60V的N溝道增強型MOS管 | 
| 文件頁數(shù): | 3/3頁 | 
| 文件大?。?/td> | 123K | 
| 代理商: | TSM2N7000 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| TSM2N7000CTA3 | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| TSM2N7000CTB0 | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| TSM2N7002EDCU6 | 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| TSM2N7002CX | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| TSM2N7002 | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| TSM2N7000CT | 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| TSM2N7000CT A3 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | 
| TSM2N7000KCT | 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| TSM2N7000KCT A3 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Ammo 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo | 
| TSM2N7002CX | 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |