參數(shù)資料
型號： TSM2323
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 20V P-Channel MOSFET
中文描述： 20V的P通道MOSFET
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： TSM2323
TSM2323
20V P-Channel MOSFET
Electrical Specifications
2/6
Version: A07
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Body Leakage
On-State Drain Current
V
GS
= 0V, I
D
= - 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250uA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
≤
-5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4.5V, I
D
= -4.7A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -4.1A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -2.0A
V
DS
= - 5V, I
D
= - 4.7A
I
S
= - 1.0A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
DSS
I
GSS
I
D(ON)
-20
-0.4
--
--
-20
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
31
41
54
16
- 0.7
--
V
V
uA
nA
A
-1.0
-1.0
±100
--
39
52
68
--
-1.2
Drain-Source On-State Resistance
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Switching
C
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
iss
C
oss
C
rss
--
--
--
--
--
--
12.5
1.7
3.3
1020
191
140
19
--
--
--
--
--
V
DS
= -10V, I
D
= -4.7A,
V
GS
= -4.5V
nC
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
--
--
--
--
25
43
71
48
40
65
110
75
V
DD
= -10V, R
L
= 10
Ω
,
I
D
= -1A, V
GEN
= -4.5V,
R
G
= 6
Ω
nS
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