參數(shù)資料
型號(hào)： TSM2312
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 20V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： TSM2312
TSM2312
1-1
2003/12 rev. A
TSM2312
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
V
DS
= 20V
R
DS (on)
, Vgs @ 4.5V, Ids @ 5.0A = 33m
R
DS (on)
, Vgs @ 2.5V, Ids @ 4.0A = 40m
Features
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Excellent thermal and electrical capabilities
Compact and low profile SOT-23 package
Block Diagram
Ordering Information
Part No.
Packing
Package
TSM2312CX
Tape & Reel
SOT-23
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
℃
unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20V
V
Gate-Source Voltage
V
GS
± 8
V
Continuous Drain Current
I
D
5
A
Pulsed Drain Current
I
DM
15
A
Ta = 25
o
C
1.25
Maximum Power Dissipation
Ta = 75
o
C
P
D
0.8
W
Operating Junction Temperature
T
J
+150
o
C
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
- 55 to +150
o
C
Thermal Performance
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Lead Temperature (1/8” from case)
T
L
5
S
Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)
Note: Surface mounted on FR4 board t<=5sec.
R
θ
ja
100
o
C/W
Pin assignment:
1. Gate
2. Source
3. Drain
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PDF描述
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TSM2323 20V P-Channel MOSFET
TSM2323CXRF 20V P-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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