參數(shù)資料
型號： TSM1N60SCTB0
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
中文描述： N溝道功率增強型MOS管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 173K
代理商： TSM1N60SCTB0
TSM1N60S
4-4
2006/01 rev. A
TO-92 Mechanical Drawing
C
D
A
B
H
E
F
G
TO-92 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
4.30
4.70
4.30
4.70
14.30(typ)
0.43
0.49
2.19
2.81
3.30
3.70
2.42
2.66
0.37
0.43
INCHES
MIN
0.169
0.169
0.563(typ)
0.017
0.086
0.130
0.095
0.015
DIM
MAX
0.185
0.185
A
B
C
D
E
F
G
H
0.019
0.111
0.146
0.105
0.017
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TSM1N80SCT 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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