參數(shù)資料
型號(hào)： TSM1N60LCP
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
中文描述： N溝道功率增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： TSM1N60LCP
TSM1N60L
4-4
2006/01 rev. A
TO-252 Mechanical Drawing
B
C
D
A
F
G
I
H
E
J
TO-252 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
6.570
6.840
9.250
10.400
0.550
0.700
2.560
2.670
2.300
2.390
0.490
0.570
1.460
1.580
0.520
0.570
5.340
5.550
1.460
1.640
INCHES
MIN
0.259
0.364
0.022
0.101
0.090
0.019
0.057
0.020
0.210
0.057
DIM
MAX
0.269
0.409
0.028
0.105
0.094
0.022
0.062
0.022
0.219
0.065
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
TO-251 Mechanical Drawing
TO-251 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.20
2.4
1.10
1.30
0.40
0.80
0.40
0.60
6.70
7.30
5.40
5.65
6.40
6.65
2.10
2.50
0.40
0.60
7.00
8.00
1.60
1.86
INCHES
MIN
0.087
0.043
0.016
0.016
0.264
0.213
0.252
0.083
0.016
0.276
0.063
DIM
MAX
0.095
0.051
0.032
0.024
0.287
0.222
0.262
0.098
0.024
0.315
0.073
A
A1
b
C
D
D1
E
e
F
L
L1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM1N60S_07 600V N-Channel Power MOSFET
TSM1N60SCT 600V N-Channel Power MOSFET
TSM1N60S N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60SCTA3 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60SCTB0 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TSM1N60SCT 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60SCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM1N80CW 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N80SCT 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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