參數(shù)資料
型號(hào)： TSM109N
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 比較器
英文描述： DUAL COMPARATOR AND VOLTAGE REFERENCE
中文描述： 雙比較器和電壓參考
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： TSM109N
TSM109/A
2/7
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V, T
amb
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
V
id
V
in
Ik
T
oper
T
j
R
thja
ESD
Supply voltage
Differential Input Voltage
Input Voltage
Continuous Cathode current range
Operating Free-air Temperature Range
Maximum Junction Temperature
Thermal Resistance Junction to Ambient (SO package)
Electrostatic Discharge Protection
36
36
V
V
V
-0.3 to V
cc
+0.3
-100 to 150
-40 to105
150
175
1.5
mA
°C
°C
°C/W
kV
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
I
CC
Total Supply Current, excluding current in the Voltage
Reference
V
CC
= +5V, no load
V
CC
= +30V, no load
0.4
1
1
2.5
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSS16D11S
TSS16D41S
TSS16G11S
TSS16G41S
TSS16G48S
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM10N06 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:60V N-Channel MOSFET
TSM10N06CPRO 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:60V N-Channel MOSFET
TSM10N60 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:600V N-Channel Power MOSFET
TSM10N60CI 功能描述:MOSFET 600V 4,75Amp N channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM10N60CIC0 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:600V N-Channel Power MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*