型號(hào): | TSC87251G2D-L16CB |
廠商: | TEMIC SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 微控制器/微處理器 |
英文描述: | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
中文描述: | 16-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
封裝: | PLASTIC, LCC-44 |
文件頁數(shù): | 7/28頁 |
文件大?。?/td> | 153K |
代理商: | TSC87251G2D-L16CB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TSC87251G2D-L16CBR | 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR) |
TSC87251G2D-L16CE | 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR,WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB(32K x 8) 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP(0.600",15.24mm) 包裝:管件 |
TSC87251G2D-L16CER | 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR) |
TSC873CT A3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TSC873CW RPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |