參數(shù)資料
型號(hào)： TSC87251G2D-24CB
廠商： TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
中文描述： 16-BIT, OTPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44
封裝： PLASTIC, LCC-44
文件頁(yè)數(shù)： 17/28頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： TSC87251G2D-24CB
Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
17
Poly non overlaping the Field oxide on Tox/P- and Tox/N-:
The DO is found to be 0.9def/cm2. This result is in agreement with the goal for D0 of 1 def/cm2
.
0
0,02
0,04
0,06
-0,05
-0,04
-0,03
-0,02
-0,01
0
Area in cm2
L
INC P-
INC N-
Poisson
Qbd < 0.1Cb/cm2
CAPA WITH POLY NON OVERLAPING THE FIELD OXIDE
DO=0.9 def/cm2
Intrinsic defects
:
The graph here after represents the percentage of failure for a Qbd > 10 Cb/cm2 vs the area. The worst
case given by the bigest capacitors shows that 67% of the total distribution has a Qbd > 10 Cb/cm2. This
result guarantees a good reliability behaviour. The critical charge, supported by thin oxide and related to
the extrinsic defects, is measured on TOX/P- capacitors of 42570um2 and TOX/N- capacitors of
85140um2. Following are the average results obtained on recent lots from a distribution of about 60 sites
per wafer. The minimum specification limit is 10C/cm2.
0
0,02
0,04
0,06
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
Area in cm2
Y
DEC P-
DEC N-
INC P-
INC N-
Qbd > 10 Cb/cm2
SCMOS3 PROCESS
Conclusion:
The QBD results demonstrate high reliability level of SCMOS3 thin oxide.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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