參數(shù)資料
型號： TPS825
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Photo IC
中文描述： 硅外延平面照片集成電路
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： TPS825
Optical and Electrical Characteristics (Ta = 25C, V
CC
= 5V)
Spectral Response
Consumption Current
Light Current (1)
Light Current (2)
Output Linearity
Saturation Output Voltage
Dark Current
Peak Sensitivity Wavelength
Rise Time
Fall Time
I
CC
I
L
(1)
I
L
(2)
I
L
(2) / I
L
(1)
V
OUT
I
D
λ
p
tr
tf
E = 0, I
L
pin kept open.
E = 0.01 mW/cm
2
(Note2)
E = 0.1 mW/cm
2
(Note2)
E = 0.1 mW/cm
2
(Note2)
R
L
= 10 k
E = 0
V
OUT
= 2.5 V
R
L
= 10 k
μ
A
μ
A
mA
V
μ
A
nm
μ
s
1
400
4
12
0.5
0.017
250
2.5
10
4.2
870
250
700
100
1
8
4.1
Note2: The light used is a CIE standard A light source (a standard tungsten bulb with a color temperature of 2856K)
00
200
400
Wavelength
λ
(nm)
600
800
1000
1200
20
40
60
80
100
Spectral Response
(Typ.)
Ta = 25C
Light Current vs. Radiant Illuminance
0.1
0.001
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
Darlington transistor
TPS820
Single transistor
Radiant illuminance E (mW/cm
2
)
L
L
(
μ
A
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
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PDF描述
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