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參數(shù)資料
| 型號： | TPS808 |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Photo IC |
| 中文描述： | 硅外延平面照片集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | TPS808 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TPS801 | |
| TPS802 | |
| TPS805 | Silicon Epitaxial Planar Photo IC |
| TPS812 | Silicon Epitaxial Planar Photo IC |
| TPS814 | Silicon Epitaxial Planar Photo IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPS811 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:PHOTO IC SILICON EPITAXIAL PLANAR |
| TPS812 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Photo IC |
| TPS81256EVM-121 | 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 TPS81256EVM-121 Eval Mod RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V |
| TPS81256SIP | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:TPS8125xEVM |
| TPS81256SIPR | 功能描述:直流/直流開關(guān)轉(zhuǎn)換器 Int Pwr Sol,3W High- Eff SU Converter RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大輸入電壓:4.5 V 開關(guān)頻率:1.5 MHz 輸出電壓:4.6 V 輸出電流:250 mA 輸出端數(shù)量:2 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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