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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TPS111T |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | TPS111T |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS112 | Analog IC |
| TPS1120DR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.17A I(D) | SO |
| TPS112T | Analog IC |
| TPS113 | Analog IC |
| TPS113T | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPS112 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Analog IC |
| TPS1120 | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1120/TPS1120Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs |
| TPS1120_08 | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1120D | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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