- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365921 > TPS1101DR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 620MA I(D) | SO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TPS1101DR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 620MA I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 15V的五（巴西）直| 620MA（?。﹟蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | TPS1101DR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS2012ADR | PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|SOP|8PIN|PLASTIC |
| TPS2012APWPR | Single Peripheral Driver |
| TPS2013ADR | Single Peripheral Driver |
| TPS2013APWPR | PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|TSSOP|14PIN|PLASTIC |
| TPS2013DR | PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|SOP|8PIN|PLASTIC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPS1101DRG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101DW | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PW | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PWLE | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PWR | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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