參數(shù)資料
型號： TPS1100(中文)
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： Single P-Channel Enhancment-Mode MOSFET(單路P溝道增強方式MOSFET)
中文描述： 單P通道Enhancment型MOSFET（單路P溝道增強方式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 664K
代理商： TPS1100(中文)
==98-11-13==
P&S
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==6-4==
P &S
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μ :
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http://www.p8s.com
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TPS1100DR 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TPS1100DRG4 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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