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參數資料
| 型號： | TPIC6596DW |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | POWER LOGIC 8-BIT SHIFT REGISTER |
| 中文描述： | 功率邏輯8位移位寄存器 |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | TPIC6596DW |
TPIC6596
POWER LOGIC 8-BIT SHIFT REGISTER
SLIS096 – APRIL 2000
3
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
schematic of inputs and outputs
EQUIVALENT OF EACH INPUT
TYPICAL OF ALL DRAIN OUTPUTS
VCC
Input
LGND
PGND
DRAIN
45 V
12 V
25 V
12 V
LGND
absolute maximum ratings over recommended operating case temperature range (unless
otherwise noted)
Logic supply voltage, V
CC
(see Note 1)
Logic input voltage range, V
I
Power DMOS drain-to-source voltage, V
DS
(see Note 2)
Continuous source-drain diode anode current
Pulsed source-drain diode anode current
Pulsed drain current, each output, all outputs on, I
Dn,
T
A
= 25
°
C (see Note 3)
Continuous drain current, each output, all outputs on, I
Dn,
T
A
= 25
°
C
Peak drain current single output, I
DM,
T
A
= 25
°
C (see Note 3)
Single-pulse avalanche energy, E
AS
(see Figure 4)
Avalanche current, I
AS
(see Note 4)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous total power dissipation
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating virtual junction temperature range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage temperature range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds
7 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–0.3 V to 7 V
45 V
1 A
2 A
750 mA
250 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 A
75 mJ
1 A
See Dissipation Rating Table
–40
°
C to 150
°
C
–65
°
C to 150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
260
°
C
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
NOTES:
1. All voltage values are with respect to LGND and PGND.
2. Each power DMOS source is internally connected to PGND.
3. Pulse duration
≤
100
μ
s, duty cycle
≤
2 %
4. DRAIN supply voltage = 15 V, starting junction temperature (TJS) = 25
°
C, L = 100 mH, IAS = 1 A (see Figure 4).
DISSIPATION RATING TABLE
PACKAGE
TA
≤
25
°
C
POWER RATING
DERATING FACTOR
ABOVE TA = 25
°
C
9.0 mW/
°
C
9.2 mW/
°
C
TA = 125
°
C
POWER RATING
DW
1125 mW
225 mW
N
1150 mW
230 mW
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