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參數(shù)資料
| 型號： | TPC62A18 |
| 英文描述： | SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|82V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
| 中文描述： | 單單向擊穿二極管| 82V V（下公報）最大| 300mA的我（縣）|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | TPC62A18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPC62B12 | SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
| TPC62B18 | SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPC62B12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
| TPC62B18 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
| TPC6501 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| TPC6501(TE85L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistr NPN 10V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TPC6501(TE85L,F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS NPN 10V 2A VS6 |
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