參數(shù)資料
型號(hào)： TPC62A12
英文描述： SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|82V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
中文描述： 單單向擊穿二極管| 82V V（下公報(bào)）最大| 300mA的我（縣）|至220
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： TPC62A12
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PDF描述
TPC62A18 SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|82V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
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TPC62B18 SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
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參數(shù)描述
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TPC6501 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type
TPC6501(TE85L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistr NPN 10V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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