參數(shù)資料
型號(hào)： TPC6003
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 157K
代理商： TPC6003
TPC6003
2002-01-15
3
F
D
Drain-source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
Drain-source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
Gate-source voltage VGS (V)
I
D
– V
GS
Gate-source voltage VGS (V)
V
DS
– V
GS
Dain current ID (A)
|Y
fs
| – I
D
Drain current ID (A)
D
R
R
DS (ON)
– I
D
10
0
2
4
6
8
0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.6
0.4
Common source
Ta 25°C
Pulse test
1.5 A
3 A
ID 6 A
1
0.1
3
10
30
100
0.3
1
3
30
100
10
Common source
Ta 25°C
Pulse test
VGS 10 V
4.5 V
100°C
0
2
4
6
8
12
0
2
3
4
5
Ta 55°C
25°C
Common source
VDS 10 V
Pulse test
1
10
1
3
5
10
30
50
1
3
5
30
50
100
100
10
Common source
VDS 10 V
Pulse test
100°C
25°C
Ta 55°C
3
8
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
2.5
VGS 2.3 V
2.6
3.2
10
0
1
2
3
4
5
Common source
Ta 25°C
Pulse test
6
2.8
4
2.7
4
0
1
2
3
4
5
Common source
Ta 25°C
Pulse test
VGS 2.4 V
2.8
6, 8, 10
0
2
4
6
8
10
3
2.7
2.6
2.5
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TPC6005 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC6104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
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TPC8014 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
TPC8105-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII)
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參數(shù)描述
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TPC6003(TE85L,F,M) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 30V 6A Rdson=0.024Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TPC6003(TE85LF) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N CH 6A 30V SOT23-6
TPC6003_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC6004 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
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