參數(shù)資料
型號： TPA6203A1GQV
英文描述： Switchlocks
中文描述： 音頻放大器|單|的CMOS | BGA封裝| 8引腳|塑料
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 53K
代理商： TPA6203A1GQV
Symbol
V
RM
I
RM
V
R
V
BR
V
BO
I
H
I
BO
I
PP
C
Parameter
Stand-offvoltage
Leakagecurrent at stand-offvoltage
ContinuousReverse voltage
Breakdownvoltage
Breakovervoltage
Holdingcurrent
Breakovercurrent
Peak pulse current
Capacitance
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C)
Symbol
R
th
(j-l)
R
th
(j-a)
Parameter
Value
60
100
Unit
°
C/W
°
C/W
Junctionto leads(L
lead
= 10mm)
Junctionto ambient on printedcircuit (L
lead
= 10 mm)
THERMALRESISTANCES
Note 1:
I
measuredat V
R
guarantee V
BRmin
≥
V
R
See test circuit 2.
Note 2:
Measured at 50 Hz (1cycle) - See test circuit 1.
V
R
= 1V, F = 1MHz. Refertofig.3 forC versus V
R
.
Type
I
RM
@ V
RM
max.
I
R
@ V
R
max.
note 1
μ
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
V
BO
@ I
BO
max.
note 2
I
H
C
min.
note3
max.
note 4
μ
A
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
V
V
V
82
90
133
160
173
240
267
293
320
360
mA
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
mA
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
pF
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
TPA62
TPA68
TPA100
TPA120
TPA130
TPA180
TPA200
TPA220
TPA240
TPA270
56
61
90
108
117
162
180
198
216
243
62
68
100
120
130
180
200
220
240
270
Symbol
P
I
PP
Parameter
Value
1.7
50
100
30
9
5
Unit
W
A
Power dissipationon infiniteheatsink
Peakpulse current
T
amb
= 50
°
C
10/1000
μ
s
8/20
μ
s
tp = 20 ms
tp = 20 ms
V
RM
I
TSM
I
2
t
dV/dt
T
stg
T
j
T
L
Nonrepetitivesurgepeak on-statecurrent
I
2
t value forfusing
Critical rate of riseof off-statevoltage
Storagetemperaturerange
Maximumjunction temperature
Maximumleadtemperatureforsolderingduring10sat5mmfromcase
A
A
2
s
kV/
μ
s
°
C
°
C
°
C
- 55to + 150
150
230
ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
TPA SERIES
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