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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TP30-270 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 連接器附件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | TP30-270 |
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0
5
10
15
20
t(s)
ITSM(A)
F = 50Hz
Fig. 1:
Non repetitive surge peak on-sate current
versusoverloadduration(Tj initial= 25
°
C).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
5
10
20
50
VT(V)
IT(A)
Tj = 25
°
C
Fig. 4:
On-state voltage versus on-state current
(typicalvalues).
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Tj(
°
C)
IH[Tj] / IH[Tj=25
°
C]
Fig. 2:
Relativevariation of holdingcurrent versus
junctiontemperature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
tp(s)
1E+1
1E+2 5E+2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
Zth(j-a)(
°
CW)
Fig. 5:
Variation of thermalimpedance junction to
ambientversuspulse duration.
1
10
100
300
0.1
0.2
0.5
1.0
VR(V)
C[VR]/C[VR=1V]
F = 1MHz
Fig. 3:
Relative variation of junction capacitance
versusreverseappliedvoltage(typicalvalues).
Note:
ForVRM upper than 56V,thecurve is extrapolated (dottedline)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
Tj(
°
C)
Vbo[Tj]/Vbo[Tj=25
°
C]
62 V
270V
Fig. 6:
Relative variation of V
BO
voltage versus
junctiontemperature.
TP30-xxxSeries
5/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TP30-62 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TP30-68 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TP30-xxx Series | TRISIL(遠(yuǎn)程通訊設(shè)備保護(hù)) |
| TP337 | Thermopile Infrared Sensor |
| TP337A | Thermopile Infrared Sensor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TP30-270RL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRISIL |
| TP303 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| TP3030 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 4A I(C) | SOT-171 |
| TP3031 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 4A I(C) | SOT-171 |
| TP3032 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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