| 型號: | TP2640 |
| 廠商: | Supertex, Inc. |
| 英文描述: | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 中文描述: | P通道增強模式垂直的DMOS場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù): | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商: | TP2640 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TP2640LG | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TP2640N3 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TP2640ND | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TP5322_07 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TP5322 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TP2640LG | 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TP2640LG-G | 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TP2640N3 | 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TP2640N3-G | 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TP2640N3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET |