參數(shù)資料
型號： TP2635N3
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 180 mA, 350 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 457K
代理商： TP2635N3
3
TP2635/TP2640
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
V
DS
(volts)
I
D
Saturation Characteristics
V
DS
(volts)
I
D
Maximum Rated Safe Operating Area
-1
-1000
-100
-10
-10
-1.0
-0.1
-0.01
-0.001
V
DS
(volts)
I
D
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1.0
t
p
(seconds)
Transconductance vs. Drain Current
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
-0.8
-0.4
G
F
(
I
D
(amperes)
Power Dissipation vs. Temperature
0
150
100
50
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
125
75
°
(
25
T
C
C)
D
P
TO-92
TC = 25
°
C
PD = 1.0W
SO-8
TO-92
T
A
= -55
°
C
V
DS
= -25V
0
-10
-20
-30
-50
-40
0
-2
-4
-6
-10
-8
25
°
C
125
°
C
-1.2
-2.0
-1.6
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V
GS
= -10V
-3V
-4V
-6V
-8V
V
GS
= -10V
-8V
-6V
-3V
-4V
SO-8 (pulsed)
T
C
= 25
°
C
TO-92 (DC)
TO-92 (pulsed)
SO-8
(DC)
相關PDF資料
PDF描述
TP2640 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640LG P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640ND P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP5322_07 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TP2635N3-G 功能描述:MOSFET 350V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2635N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2635N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2635N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2635N3-G P013 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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