參數(shù)資料
型號： TP2522
廠商： Supertex, Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： P通道增強模式垂直的DMOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 456K
代理商： TP2522
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
TP2520/TP2522
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
(
Transfer Characteristics
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
C
0
-10
-20
-30
-40
150
100
0
0
-2
-4
V
GS
(volts)
-6
-8
-10
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
50
40
30
20
10
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
73pF
0
-0.5
-1.0
I
D
(amperes)
-1.5
-2.5
-2.0
f = 1MHz
0.9
200pF
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
(th)
@ -1mA
50
0
R
DS(ON)
@ -10V, -0.2A
T
j
(
°
C)
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
R
D
(
T
j
(
°
C)
V
DS
= -25V
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
I
D
V
DS
= -10V
V
DS
= -40V
V
DS
(volts)
V
G
(
C
ISS
C
OSS
C
RSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP2522N8 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2522ND P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2520 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
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TP2522N8-G P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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