參數(shù)資料
型號： TP0104N8
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 260 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-243AA
封裝： SAME AS SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： TP0104N8
7-108
TP0102/TP0104
Switching Waveforms and Test Circuit
90%
10%
90%
90%
10%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Conditions
BV
DSS
TP0104
-40
TP0102
-20
V
GS(th)
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
Gate Threshold Voltage
-1.0
-2.4
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= Max Rating
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8 Max Rating
T
A
= 125
°
C
V
GS
= -3V, V
DS
= -20V
V
GS
= -5V, V
DS
= -20V
V
GS
= -10V, V
DS
= -20V
V
GS
= -3V, I
D
= -25mA
V
GS
= -5V, I
D
= -0.1A
V
GS
= -10V, I
D
= -0.5A
V
GS
= -10V, I
D
= -0.5A
V
DS
= -20V, I
D
= -0.5A
Change in V
GS(th)
with Temperature
Gate Body Leakage
-5.8
-6.5
mV/
°
C
nA
-1.0
-100
Zero Gate Voltage Drain Current
-10
μ
A
I
D(ON)
ON-State Drain Current
-0.08
-0.25
-0.50
A
-0.85
-1.70
R
DS(ON)
15
4.7
7.5
2.5
4.0
R
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
V
SD
t
rr
Notes:
1. All D.C. parameters 100% tested at 25
°
C unless otherwise stated. (Pulse test: 300
μ
s pulse, 2% duty cycle.)
2. All A.C. parameters sample tested.
Change in R
DS(ON)
with Temperature
Forward Transconductance
0.55
1.0
%/
°
C
m
225
250
Input Capacitance
Common Source Output Capacitance
60
50
pF
Reverse Transfer Capacitance
25
Turn-ON Delay Time
4.0
6.0
Rise Time
7.0
10
ns
Turn-OFF Delay Time
3.0
9.0
Fall Time
4.0
13
Diode Forward Voltage Drop
-1.2
-2.0
V
I
SD
= -0.25A, V
GS
= 0V
I
SD
= -0.25A, V
GS
= 0V
Reverse Recovery Time
300
ns
Package
I
D
(continuous)*
I
D
(pulsed)
Power Dissipation
@ T
C
= 25
°
C
3.5W
θ
jc
°
C/W
θ
ja
C/W
I
DR
*
I
DRM
TO-39
-0.9A
-2.0A
35
125
-0.90A
-2.0A
TO-92
-0.5A
-2.0A
1.0W
125
170
-0.50A
-2.0A
TO-243AA
-0.26A
-2.0A
1.6W
15
78
-0.26A
-2.0A
*
I
D
(continuous) is limited by max rated T
j
.
T
A
= 25
°
C. Mounted on FR5 board, 25mm x 25mm x 1.57mm. Significant P
D
increase possible on ceramic substrate.
Electrical Characteristics
(@ 25
°
C unless otherwise specified)
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
-1
mA
Static Drain-to-Source
ON-State Resistance
Thermal Characteristics
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
f = 1 MHz
V
V
GS
= 0V, I
D
= -1.0mA
V
DD
= -20V, I
D
= -0.85A
R
GEN
= 25
TP0104
– OBSOLETE –
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0616N3P017 400 mA, 160 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
TP11FGPC6 PUSHBUTTON SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.02A, 20VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT
TP21SH8ABE PUSHBUTTON SWITCH, DPST, MOMENTARY, 0.02A, 20VDC, THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE
TP21SHCQE PUSHBUTTON SWITCH, DPST, MOMENTARY, 1A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT
TP3010 UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TP01106W-4KB 功能描述:TOUCH SCREEN MULTI TOUCH 10.6" A 制造商:nkk switches 系列:TP01 零件狀態(tài):在售 長度:9.19"（233.40mm） 寬度:0.08"（2.10mm） 高度:5.56"（141.30mm） 接口:4 線 類型:電阻 屏幕對角線尺寸:10.6"（269.24mm） 標準包裝:1
TP01121A-4KB 功能描述:TOUCH SCREEN MULTI TOUCH 12.1" A 制造商:nkk switches 系列:TP01 零件狀態(tài):在售 長度:9.83"（249.60mm） 寬度:0.08"（2.10mm） 高度:7.41"（188.10mm） 接口:4 線 類型:電阻 屏幕對角線尺寸:12.1"（307.34mm） 標準包裝:1
TP01121W-4KB 功能描述:TOUCH SCREEN MULTI TOUCH 12.1" A 制造商:nkk switches 系列:TP01 零件狀態(tài):在售 長度:10.40"（264.26mm） 寬度:0.08"（2.10mm） 高度:6.55"（166.40mm） 接口:4 線 類型:電阻 屏幕對角線尺寸:12.1"（307.34mm） 標準包裝:1
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