參數(shù)資料
型號(hào)： TN815-400B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： SCR’s
中文描述： 可控硅的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： TN815-400B
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Tj(°C)
Igt,IH[Tj]/Ig,IH[Tj=25°C]
Igt
IH
Fig. 5:
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Number of cycles
ITSM(A)
Tj initial=25°C
F=50Hz
Fig. 6:
Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
1
2
5
10
10
20
50
100
300
tp(ms)
ITSM(A),I2t(A2s)
Tj initial=25°C
ITSM
I2t
Fig. 7:
Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width tp<10ms, and cor-
responding value of I2t.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
S(Cu) (cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 9:
Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
1.0
10.0
100.0
VTM(V)
ITM(A)
Tj max.:
Vto=0.85V
Rt=46m
Tj=Tj max.
Tj=25°C
Fig. 8:
On-state characteristics (maximum values).
TN805/TN815-B
4/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TN815-600B-TR 功能描述:SCR 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TN815-600H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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