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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN6729A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | TN6729A |
T
TN6729A
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power
amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA.
Sourced from Process 79.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
NZT6729
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
80
80
5.0
1.0
V
V
V
A
°
C
-55 to +150
Symbol
Characteristic
Max
Units
TN6729A
1.0
8.0
50
125
*NZT6729
1.0
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
125
B
C
C
SOT-223
E
TO-226
CBE
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述 |
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