型號: | TN2460T |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V,最小夾斷電流51mA的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
中文描述: | N溝道增強型MOSFET(最小漏源擊穿電壓240伏,最小夾斷電流五一毫安的N溝道增強型MOSFET的晶體管) |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 71K |
代理商: | TN2460T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TN2469TK | 302 Photo Transistor Series |
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TN2540 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V,低門限2.0V,N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
TN2640 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V,低門限2.0V,N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
TN3012L | N-Channel 300-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TN2460TT1 | 制造商:VISHAY 功能描述:New |
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TN2469TK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:302 Photo Transistor Series |
TN248ULCSAJ | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
TN2-48V | 功能描述:低信號繼電器 - PCB 2 Form C 1 Form A Gold Contact 48V RoHS:否 制造商:NEC 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 V 最大開關電流:1 A 線圈電流:1 A 線圈類型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接類型:SMT 絕緣: 介入損耗: |