參數(shù)資料
型號(hào)： TN2010T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓為200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： TN2010T
TN2010T
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
1
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
Product Summary
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
200
11
0.8 to 3.0
0.12
Features
Benefits
Applications
Low On-Resistance: 9.5
Secondary Breakdown Free: 220 V
Low Power/Voltage Driven
Low Input and Output Leakage
Excellent Thermal Stability
Low Offset Voltage
Full-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
Low Error Voltage
No High-Temperature
“Run-Away”
High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,
Lamps, Hammers, Displays, Transistors, etc.
Telephone Mute Switches, Ringer Circuits
Power Supply, Converters
Motor Control
Top View
TN2010T (R1)*
*Marking Code for TO-236
G
S
D
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Absolute Maximum Ratings (T
A
= 25 C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
=
I
D
0.12
=
0.08
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
0.34
Power Dissipation
=
P
D
0.35
W
=
0.22
Maximum Junction-to-Ambient
R
thJA
357
C/W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2010T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
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TN2404K N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1 N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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