參數(shù)資料
型號： TN0201T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： TN0201T
TN0201T
Vishay Siliconix
Document Number: 70200
S-04279—Rev. E, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-1
N-Channel 20–V (D–S) MOSFET
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
1.0 @ V
GS
= 10 V
20
1.4 @ V
GS
= 4.5 V
1.0 to 3.0
0.39
Low On-Resistance: 0.75
Low Threshold: <1.75 V
Low Input Capacitance: 65 pF
Fast Switching Speed: 15 ns
Low Input and Output Leakage
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays
G
TO-236
(SOT-23)
S
D
Top View
2
3
1
Marking Code: N1
wll
N1 = Part Number Code for TN0201T
w
= Week Code
ll
= Lot Traceability
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
0.39
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 70 C
I
D
0.25
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
0.75
T
A
= 25 C
0.35
Power Dissipation
T
A
= 70 C
P
D
0.22
W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
thJA
357
C/W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
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