參數(shù)資料
型號(hào)： TMS320C6201BGJC-200
元件分類： 數(shù)字信號(hào)處理
英文描述： 32-Bit Digital Signal Processor
中文描述： 32位數(shù)字信號(hào)處理器
文件頁(yè)數(shù)： 101/132頁(yè)
文件大?。?/td> 1707K
代理商： TMS320C6201BGJC-200
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SPRS145G
–
JULY 2000
–
REVISED FEBRUARY 2002
101
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251
–
1443
external memory interface
read
timings
switching characteristics over recommended operating conditions for an external memory
interface read at 40 MHz [H = 0.5t
c(CO)
] (see Figure 44)
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
td(COL-CNTL)
Delay time, CLKOUT low to control valid
4
ns
td(COL-CNTH)
Delay time, CLKOUT low to control inactive
5
ns
td(COL-A)RD
Delay time, CLKOUT low to address valid
8
ns
td(COH-RDL)
Delay time, CLKOUT high to RD strobe active
5
ns
td(COL-RDH)
Delay time, CLKOUT low to RD strobe inactive high
–
8
1
ns
td(COL-SL)
Delay time, CLKOUT low to STRB strobe active low
5
ns
td(COL-SH)
Delay time, CLKOUT low to STRB strobe inactive high
6
ns
td(WRN)
Delay time, W/R going low to R/W rising
5
ns
th(A)COL
Hold time, address valid after CLKOUT low
2
ns
tsu(A)RD
Setup time, address valid before RD strobe active low
H
–
7
ns
th(A)RD
Hold time, address valid after RD strobe inactive high
0
ns
timing requirements [H = 0.5t
c(CO)
] (see Figure 44)
MIN
MAX
UNIT
ta(A)
Access time, read data from address valid
2H
–
10
ns
ta(RD)
Access time, read data from RD low
H
–
7
ns
tsu(D)RD
th(D)RD
Setup time, read data before RD strobe inactive high
8
ns
Hold time, read data after RD strobe inactive high
0
ns
th(AIV-D)
Hold time, read data after address invalid
0
ns
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PDF描述
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