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參數(shù)資料
| 型號： | TMS29F040(中文) |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | Flash Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory(512K×8結(jié)構(gòu),可擦可編程閃速只讀存儲器) |
| 中文描述： | 閃光電可擦除可編程只讀存儲器（為512k × 8結(jié)構(gòu)，可擦可編程閃速只讀存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 9/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | TMS29F040(中文) |
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μíμ￡
C
L
=30pF
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1.5V
μíμDD¨ê±2aá ￡êèééyóμê±
=<5ns
￡
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V
CC
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V
SS
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0.1
|ì
F
μì′éμèY￡üó| éüü÷tμòy ￡
IOL
0.5 mA
IOH
Output
Under
Test
0.5 mA
CL
(see Note A)
1.50 V
NOTE A: CL includes probe and fixture capacitance.
2.4 V
0.45 V
2 V
0.8 V
VOLTAGE WAVEFORMS FOR -90,-10, -12
Conditions: VIH = 2.45 V
VIL = 0.45 V
CL = 100 pF
Measurements taken at: 2.0 V for logic high
0.8 V for logic low
Input rise and fall = <20 ns
NOTE B: Each device should have a 0.1-
μ
F ceramic capacitor connected between VCC and VSS, as closely as possible to the device pins.
í
6
á÷2aêê3 oμ·
3.0 V
0.0 V
VOLTAGE WAVEFORMS FOR -60,-75
1.5 V
1.5 V
Conditions: VIH = 3.0 V
VIL = 0.0 V
CL = 30 pF
Measurements taken at: 1.5 V for logic high
1.5 V for logic low
Input rise and fall = <5 ns
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