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參數(shù)資料
| 型號： | TMS28F512A-12C4FMQ |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | GT 16C 2#12 14#16 PIN PLUG |
| 中文描述： | 65536 8位快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 14/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 311K |
| 代理商： | TMS28F512A-12C4FMQ |
TMS28F512A
65536 BY 8-BIT
FLASH MEMORY
SMJS514C – FEBRUARY 1994 – REVISED AUGUST 1997
14
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature
TEST
ALTERNATE
SYMBOL
’28F512A-10
MIN
’28F512A-12
MIN
’28F512A-15
MIN
’28F512A-17
MIN
UNIT
CONDITIONS
MAX
MAX
MAX
MAX
ta(A)
Access time
from address, A
tAVQV
100
120
150
170
ns
ta(E)
Access time
from E
tELQV
100
120
150
170
ns
ta(G)
Access time
from G
tGLQV
45
50
55
60
ns
tc(R)
Cycle time, read
tAVAV
100
120
150
170
ns
td(E)
Delay time, E low
to low-Z output
CL = 100 pF,
One Series 74
TTL Load,
Input tr
≤
20 ns,
Input tf
≤
20 ns
tELQX
0
0
0
0
ns
td(G)
Delay time, G low
to low-Z output
tGLQX
0
0
0
0
ns
tdis(E)
Chip disable time
to Hi-Z output
tEHQZ
0
55
0
55
0
55
0
55
ns
tdis(G)
Output disable
time to Hi-Z
output
tGHQZ
0
30
0
30
0
35
0
35
ns
th(D)
Hold time, data
valid from
address, E, or G
tAXQX
0
0
0
0
ns
trec(W)
Write recovery
time before read
tWHGL
6
6
6
6
μ
s
Whichever occurs first
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS28F512A-15 | GT 16C 2#12 14#16 SKT PLUG |
| TMS28F512A-15C3FME | GT 26C 26#16 SKT PLUG |
| TMS29F002RB-90BFML | x8 Flash EEPROM |
| TMS29F002RB-10BFME | x8 Flash EEPROM |
| TMS29F002RB-10CFME | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS29F040-12C5FML | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| TMS29F04090C5FML | 制造商:TI 功能描述:* |
| TMS29F040-90C5FML | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| TMS29F04090C5FMLR | 制造商:TI 功能描述:* |
| TMS29F81606FML | 制造商:TI 功能描述:* |
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