參數(shù)資料
型號： TMD1414-1C
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Microwave Power MMIC Amplifier(微波功率MMIC放大器)
中文描述： 微波功率單片放大器（微波功率單片放大器）
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 824K
代理商： TMD1414-1C
MICR OWAVE SE MICONDUCT OR
T E CHNICAL DAT A
MICR OWAVE POWE R MMIC AMPL IF IE R
T MD 1414-1
T MD 1414-1B
T MD 1414-1C
F E AT UR E S
n
Suitable for Ku-band VSAT
n
High Power P1dB=31.5dBm(TYP.)
High Power Added Efficiency
η
add=29%(TYP.)
n
n
High Gain G1dB=26dB(TYP.)
n
Broadband Operation f=13.75 – 14.5GHz.
ABSOL UT E MAXIMUM R AT INGS(T a=25
o
C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
RATINGS
DRAIN SUPPLY VOLTAGE
VDD
V
10
GATE SUPPLY VOLTAGE
VGG
V
-10
INPUT POWER
Pin
dBm
20
FLANGE TEMPERATURE
Tf
o
C
-40 - +90
STORAGE TEMPERATURE
Tstg
o
C
-65 - +175
R F PE R F OR MANCE SPE CIF ICAT IONS (T a=25
o
C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
CONDITION
UNIT
MIN.
TYP.
-
MAX.
Operaing Frequency
f
GHz
13.75
14.5
-
Output Power at 1dB
Gain Compression Point
P1dB
dBm
29.0
31.5
Power Gain at 1dB
Gain Compression Point
G1dB
dB
21.0
26.0
-
Gain Flatness
G
dB
-
-
-
-
-
-
-
-
±
1.0
Drain Current
IDD
A
0.7
1.0
-
-
Power Added Efficiency
η
add
%
29
Third Order Intercept Point
IP3
dBm
-
-
37
VSWRin (small signal)
VSWRin
2.0:1
2.5:1
VSWRout (small signal)
VSWRout
VDD=7V
VGG=-5V
2.0:1
3.0:1
-
Detector Output Voltage*
Vdet
@Po=30dBm
V
2.5
*: For 1B,1C
u
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u
J une. 1999
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