參數(shù)資料
型號(hào)： TMBAT 49
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Small Signal Schottky Diode(小信號(hào)肖特基二極管)
中文描述： 小信號(hào)肖特基二極管（小信號(hào)肖特基二極管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： TMBAT 49
TMBAT 49
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION
General purpose metal to silicon diode featuring
very low turn-on voltage and fast switching.
This device has integrated protection against ex-
cessive voltage such as electrostatic discharges.
November 1994
MELF
(Glass)
Symbol
V
RRM
I
F
I
FRM
Parameter
Value
80
500
3
Unit
V
mA
A
Repetitive Peak Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Repetitive Peak Forward Current
T
i
= 70
°
C
tp = 1s
δ
≤
0.5
t
p
= 10ms
I
FSM
T
stg
T
j
T
L
Surge non Repetitive Forward Current
Storage and Junction Temperature Range
10
A
°
C
°
C
°
C
- 65 to + 150
- 65 to + 125
260
Maximum Temperature for Soldering during 15s
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(limiting values)
Symbol
R
th(j-l)
Test Conditions
Value
110
Unit
°
C/W
Junction-leads
THERMAL RESISTANCE
* Pulse test: t
p
≤
300
μ
s
δ
<
2%
.
Symbol
I
R
*
V
F
*
Test Conditions
VR = 80V
I
F
= 10mA
I
F
= 100mA
I
F
= 1A
Min.
Typ.
Max.
200
0.32
0.42
1
Unit
μ
A
V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
STATIC CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
C
Test Conditions
Min.
Typ.
120
35
Max.
Unit
pF
T
j
= 25
°
C f = 1MHz
V
R
= 0V
V
R
= 5V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TMBAT49FILM 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Small Signal Diode
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